退火對AlGaInP/GaInP多量子阱 LED外延片性能的影響

時間：2023-04-27 00:23:13 數(shù)理化學論文我要投稿

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采用LP-MOCVD技術在n-GaAs襯底上生長了AlGaInP/GaInP多量子阱紅光LED外延片.研究表明退火對外延片性能有重要影響.與未退火樣品相比,460℃退火15 min,外延片p型GaP層的空穴濃度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP層的空穴濃度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3.但退火溫度為780℃時,p型GaP層和p型AlGaInP層的空穴濃度分別下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的擴散加劇,導致未摻雜AlGaInP/GaInP多量子阱呈現(xiàn)p型電導.在460～700℃退火范圍內(nèi),并沒有使AlGaInP/GaInP多量子阱的發(fā)光性能發(fā)生明顯變化.但退火溫度為780℃時,AlCaInP/GaInP多量子阱的發(fā)光強度是退火前的2倍.

作者：李述體范廣涵周天明孫慧卿王浩鄭樹文郭志友作者單位：華南師范大學,光電子材料與技術研究所,廣東,廣州,510631 刊名：發(fā)光學報 ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 2004 25(5) 分類號： O472.3 O482.31 關鍵詞： AlGaInP AlGaInP/GaInP多量子阱金屬有機化學氣相沉積電化學電容電壓分析光致發(fā)光

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