穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)X射線輻照引起的互補(bǔ)性金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件劑量增強(qiáng)效應(yīng)研究

穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)X射線輻照引起的互補(bǔ)性金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件劑量增強(qiáng)效應(yīng)研究

重點(diǎn)開展了穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)X射線輻照引起的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(CMOS)器件劑量增強(qiáng)效應(yīng)relative dose enhance ment effect(RDEF)研究.通過實(shí)驗(yàn)給出輻照敏感參數(shù)隨總劑量的變化關(guān)系,旨在建立CMOS器件相同累積劑量時(shí)X射線輻照和γ射線輻照的總劑量效應(yīng)損傷等效關(guān)系.在脈沖X射線源dense plasma focus(DPF)裝置上,采用雙層膜結(jié)構(gòu)開展瞬態(tài)翻轉(zhuǎn)增強(qiáng)效應(yīng)研究,獲得了瞬態(tài)翻轉(zhuǎn)劑量增強(qiáng)因子.這些方法為器件抗X射線輻照加固技術(shù)研究提供了實(shí)驗(yàn)技術(shù)手段.

作 者： 郭紅霞 陳雨生 張義門 周輝 龔建成 韓福斌 關(guān)穎 吳國榮   作者單位： 郭紅霞(西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)研究所,西安,710000;西北核技術(shù)研究所,西安,710024)

陳雨生,周輝,龔建成,韓福斌,關(guān)穎,吳國榮(西北核技術(shù)研究所,西安,710024)

張義門(西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)研究所,西安,710000) 

刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2001 50(12)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： X射線   劑量增強(qiáng)因子   總劑量效應(yīng)   劑量率效應(yīng)  

【穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)X射線輻照引起的互補(bǔ)性金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件劑量增強(qiáng)效應(yīng)研究】相關(guān)文章：

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