高溫閃爍晶體Ce∶LSO的生長研究

高溫閃爍晶體Ce∶LSO的生長研究

Ce∶LSO晶體具有優(yōu)良的閃爍性能,其主要特點是光產(chǎn)額大、發(fā)光衰減時間快、密度大、有效原子序數(shù)大、輻射長度短、發(fā)射峰與光電倍增管的接收范圍相匹配,在γ射線探測方面有著廣泛的應用.我們用提拉法生長了不同摻雜濃度的Ce∶LSO晶體,成功地解決了在生長過程中出現(xiàn)的晶體開裂及籽晶熔斷問題,并對晶體生長過程中的表面重熔、晶體著色及Ce的偏析等現(xiàn)象作了討論.熒光光譜分析表明晶體最大激發(fā)波長為353nm,發(fā)射峰由391nm和425nm處兩個峰組成,吸收譜則顯示晶體在209～370nm之間具有多個吸收峰.

作 者： 崔素賢 鄭燕青 施爾畏 路治平 仲維卓   作者單位： 中國科學院上海硅酸鹽研究所,上海,201800  刊 名： 人工晶體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2002 31(6)  分類號： O782.5  關鍵詞： Ce∶LSO   閃爍晶體   提拉法   激發(fā)發(fā)射譜  

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