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偏磷酸鹽摻雜對KDP晶體生長與光學(xué)性能的影響
研究了KDP晶體中散射顆粒形成的一種機(jī)理.摻雜微量偏磷酸鹽即可使KDP晶體中出現(xiàn)散射顆粒,隨著摻雜濃度提高,散射顆粒密度增大.散射顆粒形成的原因在于偏磷酸根具有PO4四面體端基,在晶體生長時容易被生長晶面吸附進(jìn)入晶格.偏磷酸鹽摻雜影響了晶體的光學(xué)性能,晶體的光損傷閾值也明顯地愛到摻雜的影響.
作 者： 王圣來 高樟壽 傅有君 張吉果 孫洵 李義平 曾紅 黃國松 楊鏡新 莊亦飛 薛志玲 作者單位： 王圣來,高樟壽,傅有君,張吉果,孫洵,李義平,曾紅(山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,濟(jì)南,250100)黃國松,楊鏡新,莊亦飛,薛志玲(中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所,上海,201800)
刊 名： 光學(xué)學(xué)報 ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA OPTICA SINICA 年，卷(期)： 2002 22(6) 分類號： O77+5 關(guān)鍵詞： KDP晶體 偏磷酸鹽 散射顆粒 光傷閾值【偏磷酸鹽摻雜對KDP晶體生長與光學(xué)性能的影響】相關(guān)文章：
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