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密度泛函理論研究具有手性側(cè)鏈的卟啉液晶分子幾何結(jié)構(gòu)與電子光譜
采用量子化學(xué)密度泛函理論方法在B3LYP/6-31G水平上對具有手性側(cè)鏈的卟啉液晶分子進(jìn)行幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化,在此基礎(chǔ)上使用含時(shí)密度泛函理論方法計(jì)算了分子第一激發(fā)態(tài)的電子垂直躍遷能,得到最大吸收波長λmax.計(jì)算表明,手性側(cè)鏈取代基對λmax的影響不大,Zn絡(luò)合導(dǎo)致最大吸收波長蘭移,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果一致.
作 者: 李權(quán) 駱開均 趙可清 LI Quan LUO Kai-jun ZHAO Ke-qing 作者單位: 四川師范大學(xué)化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院,成都,610066 刊 名: 原子與分子物理學(xué)報(bào) ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS 年,卷(期): 2007 24(5) 分類號(hào): O56 關(guān)鍵詞: 卟啉液晶分子 密度泛函理論 前線軌道 電子光譜【密度泛函理論研究具有手性側(cè)鏈的卟啉液晶分子幾何結(jié)構(gòu)與電子光譜】相關(guān)文章:
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