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FeCuNbSiB多層膜的磁化特性與巨磁阻抗效應(yīng)
用射頻磁控濺射法制備了FeCuNbSiB多層膜,制備態(tài)樣品的GMI效應(yīng)在驅(qū)動(dòng)電流頻率為12MHz時(shí)達(dá)到最大,為44.3%.利用復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率和等效電路討論了該多層膜的磁化過(guò)程,及與GMI效應(yīng)的關(guān)系.外加直流磁場(chǎng)抑制磁疇運(yùn)動(dòng),在等效電路中與抵消并聯(lián)電路相關(guān).樣品磁化的特征弛豫頻率在12MHz左右,與出現(xiàn)最大磁阻抗變化的頻率接近.
作 者: 林宏 袁望治 趙振杰 程金科 辛宏梁 吳志明 阮建中 楊燮龍 LIN Hong YUAN Wang-zhi ZHAO Zhen-jie CHENG Jin-ke XIN Hong-liang WU Zhi-ming RUAN Jian-zhong YANG Xie-long 作者單位: 華東師范大學(xué)物理系,上海,200062 刊 名: 功能材料與器件學(xué)報(bào) ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES 年,卷(期): 2007 13(6) 分類號(hào): O482.5 O442 O484 關(guān)鍵詞: 巨磁阻抗效應(yīng) 磁導(dǎo)率 弛豫頻率 等效電路【FeCuNbSiB多層膜的磁化特性與巨磁阻抗效應(yīng)】相關(guān)文章:
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