- 相關(guān)推薦
La摻雜濃度對PLZT薄膜紅外光學(xué)性質(zhì)的影響
采用溶膠-凝膠法在Pt/Ti/SiO2/Si襯底上制備了不同La摻雜濃度PLZT(x/40/60)薄膜. x射線衍射分析表明制備的PLZT(x/40/60)薄膜是具有單一鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的多晶薄膜. 通過紅外橢圓偏振光譜儀測量了波長為2.5-12.6μm范圍內(nèi)PLZT薄膜的橢偏光譜,采用經(jīng)典色散模型擬合獲得PLZT薄膜的紅外光學(xué)常數(shù),同時(shí)也擬合獲得PLZT薄膜的厚度. 隨著La摻雜濃度的增大,折射率逐漸減小. 而消光系數(shù)除PLZT(4/40/60)薄膜外,呈現(xiàn)逐漸增大的趨勢. 分析表明這些差異主要與PLZT薄膜的結(jié)晶性,如晶粒尺寸,以及顆粒邊界、形貌、電子能帶結(jié)構(gòu)有關(guān). 通過計(jì)算得到PLZT薄膜的吸收系數(shù)大于PZT薄膜的吸收系數(shù). 隨著La摻雜濃度的增大,靜態(tài)電荷值逐漸減小. 這說明在PLZT中,電荷的轉(zhuǎn)移是不完全的,它屬于離子-共價(jià)混合的化合物.
作 者: 胡志高 石富文 黃志明 王根水 孟祥建 林鐵 褚君浩 作者單位: 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海,200083 刊 名: 物理學(xué)報(bào) ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA PHYSICA SINICA 年,卷(期): 2003 52(7) 分類號: O4 關(guān)鍵詞: PLZT薄膜 紅外光學(xué)性質(zhì) 紅外橢圓偏振光譜【La摻雜濃度對PLZT薄膜紅外光學(xué)性質(zhì)的影響】相關(guān)文章:
Ag摻雜對ZnO薄膜的光電性能影響04-26
氟摻雜的氧化鋅薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性04-27
N 摻雜ZnO薄膜的接觸特性04-26
硅襯底上Zn1-xMgxO薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)04-26
納米ZnO薄膜制備及液態(tài)源摻雜04-27
Cr摻雜對La0.75Ca0.25MnO3陶瓷材料磁性能的影響04-26
等離子體增強(qiáng)反應(yīng)蒸發(fā)沉積的氟摻雜氧化銦薄膜的性質(zhì)04-27
V2O5摻雜對TiO2納米復(fù)合薄膜性能的影響04-26
無機(jī)陰離子摻雜TiO2薄膜光催化性能及紅外光譜分析04-27
脈沖激光沉積Al/Ag摻雜功能梯度薄膜04-27