工藝條件對CdS納米粒子量子尺寸效應(yīng)的影響

工藝條件對CdS納米粒子量子尺寸效應(yīng)的影響

以硫脲為表面修飾劑對CdS進(jìn)行表面修飾,并將CdS分散在PVP(聚乙烯吡咯烷酮)的乙醇水溶液中,用紫外可見吸收光譜分析了各種反應(yīng)條件對CdS納米粒子量子尺寸效應(yīng)的影響.結(jié)果表明,將硫脲用于CdS納米粒子的表面修飾能有效地降低CdS納米粒子的粒徑,大大提高了其量子尺寸效應(yīng).硫脲與Cd2+之間的不同比例、硫脲修飾前后溶液的pH值對CdS納米粒子的量子尺寸效應(yīng)產(chǎn)生了明顯的影響.在pH值為2.00,硫脲與Cd2+比例為8:1的條件下,得到了粒徑大小為5 nm、粒徑分布均勻的CdS納米粒子.TEM觀察到的結(jié)果與Brus公式計(jì)算的結(jié)果是一致的.

作 者： 姚建曦 趙高凌 韓高榮   作者單位： 硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)系,浙江,杭州,310027  刊 名： 浙江大學(xué)學(xué)報(工學(xué)版)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF ZHEJIANG UNIVERSITY(ENGINEERING SCIENCE)  年，卷(期)： 2003 37(4)  分類號： O648.16 TN304.25  關(guān)鍵詞： CdS納米粒子   量子尺寸效應(yīng)   表面修飾   吸收邊  

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