TFA-MOD法YBa2Cu3O7-δ超導(dǎo)薄膜的交流磁化率研究

TFA-MOD法YBa2Cu3O7-δ超導(dǎo)薄膜的交流磁化率研究

通過三氟乙酸鹽-金屬有機(jī)沉積(TFA-MOD)方法在LaAlO3單晶基片上制備了YBa2Cu3O7-δ(YBCO)高溫超導(dǎo)薄膜,并測(cè)定在垂直于a-b面的外加交變磁場(chǎng)下薄膜樣品的交流磁化率隨溫度的變化關(guān)系,在頻率543.2 Hz、振幅1 V條件下,樣品的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變發(fā)生在91 K附近.交流磁化率虛部峰值溫度Tp隨著磁場(chǎng)振幅的變大而向低溫區(qū)移動(dòng),隨著頻率的增大而向高溫區(qū)移動(dòng),這些現(xiàn)象與磁通蠕動(dòng)模型相一致,峰值溫度TP與外交變磁場(chǎng)的振幅Hac滿足Hcaε(1-Tp/Tct)n的關(guān)系,其n～1.55;而與頻率之間滿足1/Tp與lnf的線性關(guān)系,可能是由于TAF-MOD薄膜樣品中較多孔洞和非位錯(cuò)缺陷的出現(xiàn)使其偏離一般物理氣相沉積薄膜樣品具有的SNS型連接(n～2).根據(jù)頻率f與溫度T的Arrhenius公式以及二維簡(jiǎn)約的Bean模型,得到當(dāng)前薄膜樣品的激活能U與電流密度J、以及J與溫度T的標(biāo)度關(guān)系.

作 者： 王曉祺 高波 蔡傳兵 劉志勇 魯玉明 劉金磊 潘成遠(yuǎn) 應(yīng)利良 WANG Xiao-qi GAO Bo CAI Chuan-bing LIU Zhi-yong LU Yu-ming LIU Jin-lei PAN Chen-yuan YING Li-liang   作者單位： 上海大學(xué)物理系,上海,200444  刊 名： 低溫物理學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年，卷(期)： 2008 30(3)  分類號(hào)： O51  關(guān)鍵詞： 超導(dǎo)薄膜   TFA-MOD   交流磁化率   激活能  

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