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無碰撞磁場重聯(lián)中的電子密度降低
采用二維全粒子模擬方法研究了無碰撞磁場重聯(lián).研究結(jié)果顯示:沿著分離線出現(xiàn)了電子密度降低,而電子的高速入流正好位于電子密度降低所在的位置.在擴(kuò)散區(qū)出現(xiàn)了平行于磁場的電場E∥,通過跟蹤在某一時(shí)刻位于電子密度降低處的一個(gè)電子隨后的運(yùn)動(dòng)軌跡和速度變化,證明這些電場將會(huì)加速和加熱電子使其快速流向X線,從而產(chǎn)生電子密度降低.
作 者： 趙波 關(guān)立強(qiáng) 王翠 郭俊 ZHAO Bo GUAN Li-qiang WANG Cui GUO Jun 作者單位： 趙波,ZHAO Bo(青島科技大學(xué),自動(dòng)化與電子工程學(xué)院)關(guān)立強(qiáng),王翠,郭俊,GUAN Li-qiang,WANG Cui,GUO Jun(青島科技大學(xué),數(shù)理學(xué)院:山東,青島,266042)
刊 名： 延邊大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版） 英文刊名： JOURNAL OF YANBIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE) 年，卷(期)： 2009 35(2) 分類號： P353 關(guān)鍵詞： 無碰撞磁場重聯(lián) 粒子模擬 電子密度降低【無碰撞磁場重聯(lián)中的電子密度降低】相關(guān)文章：
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