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不同摻雜濃度Ce:YAP閃爍晶體的性能研究
Ce:YAP晶體具有優(yōu)良的閃爍性能,其主要特點是衰減時間短,光產額大,在高能射線探測、核醫(yī)學等方面有著廣闊的應用前景.考慮到Ce3+ 離子濃度可能對晶體性能的影響,用中頻感應加熱提拉法生長了系列摻雜濃度為0.05%～0.6%的Ce:YAP閃爍晶體,晶體尺寸為Ф 50 mm轉_80 mm.室溫下測試了不同濃度Ce:YAP晶體的透過、熒光、X射線激發(fā)發(fā)射、 X射線激發(fā)衰減等特征,分析了Ce3+離子濃度對Ce:YAP晶體的透過、熒光及閃爍性能的影響.結果表明: 隨著Ce3+ 離子濃度增加,Ce:YAP晶體的吸收邊發(fā)生紅移,造成了樣品的自吸收,從而影響到Ce:YAP晶體的光輸出;且隨Ce3+ 離子濃度增加,Ce:YAP晶體的衰減時間減少.
趙廣軍,宗艷花,徐軍,Zhao Guangjun,Zong Yanhua,Xu Jun(中國科學院上海光學精密機械研究所,上海,201800)
刊 名： 中國稀土學報 ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF THE CHINESE RARE EARTH SOCIETY 年，卷(期)： 2007 25(4) 分類號： O799 關鍵詞： Ce:YAP 衰減時間 提拉法 閃爍體 稀土【不同摻雜濃度Ce:YAP閃爍晶體的性能研究】相關文章：
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