太赫茲硅雪崩渡越時(shí)間二極管低溫特性研究

太赫茲硅雪崩渡越時(shí)間二極管低溫特性研究

本文給出了準(zhǔn)確描述硅雪崩渡越時(shí)間二極管工作特性的大信號仿真模型,研究了影響硅雪崩越時(shí)間(IMPATY,Impact Avalanche Transit Time)二極管工作狀態(tài)的離化率和飽和漂移速度,考慮Si-IMPATT二極管熱限制的條件下,計(jì)算了二極管的最大工作電流.通過大信號仿真分析,我們得到如下結(jié)果:(1)隨著溫度的降低,二極管輸出功率提高;(2)隨著溫度的降低,二極管工作頻率向高端偏移,本文還建立了液氮制冷環(huán)境下IMPATT振蕩器的測試系統(tǒng),與常溫工作相比,77K低溫環(huán)境下IMPATT二極管的輸出功率提高了47.8%,頻率也向高端偏移了6.3%,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真預(yù)測一致.

作 者： 吳濤 祝大龍 徐金平 王霄 WU Tao ZHU Da-long XU Jin-ping WANG Xiao   作者單位： 吳濤,祝大龍,徐金平,WU Tao,ZHU Da-long,XU Jin-ping(東南大學(xué)毫米波國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210096)

王霄,WANG Xiao(南京電子器件研究所,南京,210016) 

刊 名： 低溫物理學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年，卷(期)： 2008 30(3)  分類號： O51  關(guān)鍵詞： 太赫茲   硅崩越二極管   低溫   頻率特性   功率特性  

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