P-MBE制備氮摻雜p型ZnO中空穴的散射機制

P-MBE制備氮摻雜p型ZnO中空穴的散射機制

利用等離子體輔助的分子束外延(P-MBE)技術(shù),在藍(lán)寶石襯底上制備了氮摻雜的p型ZnO薄膜.通過變溫霍爾測量研究了空穴濃度和遷移率隨溫度的變化特性.對載流子濃度擬合的結(jié)果表明氮受主具有75 meV的能級深度.通過對各種散射機制下遷移率的討論,發(fā)現(xiàn)由晶粒及其晶界組成的這種結(jié)構(gòu)極大地降低了p型ZnO中載流子的遷移率.

作 者： 孫建武 呂有明 劉益春 申德振 張振中 李炳輝 張吉英 姚斌 趙東旭 范希武 SUN Jian-wu LU You-ming LIU Yi-chun SHEN De-zhen ZHANG Zhen-zhong LI Bing-hui ZHANG Ji-ying YAO Bin ZHAO Dong-xu FAN X W   作者單位： 孫建武,SUN Jian-wu(中國科學(xué)院,長春光學(xué)精密機械與物理研究所,吉林,長春,130033;中國科學(xué)院,研究生院,北京,100049)

呂有明,劉益春,申德振,張振中,李炳輝,張吉英,姚斌,趙東旭,范希武,LU You-ming,LIU Yi-chun,SHEN De-zhen,ZHANG Zhen-zhong,LI Bing-hui,ZHANG Ji-ying,YAO Bin,ZHAO Dong-xu,FAN X W(中國科學(xué)院,長春光學(xué)精密機械與物理研究所,吉林,長春,130033) 

刊 名： 發(fā)光學(xué)報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2008 29(3)  分類號： O472.4  關(guān)鍵詞： 氧化鋅   p型摻雜   散射機制   P-MBE  

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