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靜電放電次數(shù)與半導(dǎo)體器件潛在性失效的關(guān)系
為研究硅雙極晶體管中由ESD注入引起的潛在性失效與放電次數(shù)間的關(guān)系,對(duì)微波低噪聲小功率硅雙極器件進(jìn)行了同一電壓不同次數(shù)的人體模型ESD注入實(shí)驗(yàn).注入電壓為1.50 kV.注入管腳為器件對(duì)ESD最敏感的端對(duì).器件分組注入不同次數(shù)的ESD后,將注入和未注入過ESD的器件同時(shí)進(jìn)行加速壽命實(shí)驗(yàn).通過比較各組器件損傷率的大小來(lái)反映器件使用壽命的變化.經(jīng)統(tǒng)計(jì)分析與計(jì)算發(fā)現(xiàn):開始時(shí),隨放電次數(shù)的增加,器件出現(xiàn)潛在性失效的概率增大,當(dāng)概率達(dá)到一定極限值后,又會(huì)隨放電次數(shù)的增大而減小,說明ESD的注入不僅可能在部分硅器件內(nèi)部造成潛在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性.
作 者： 楊潔 劉尚合 劉紅兵 祁樹鋒 YANG Jie LIU Shang-he LIU Hong-bing QI Shu-feng 作者單位： 楊潔,劉尚合,祁樹鋒,YANG Jie,LIU Shang-he,QI Shu-feng(軍械工程學(xué)院,靜電與電磁防護(hù)研究所,河北,石家莊,050003)劉紅兵,LIU Hong-bing(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司,第十三研究所,河北,石家莊,050000)
刊 名： 河北大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版） ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION) 年，卷(期)： 2007 27(6) 分類號(hào)： O441 關(guān)鍵詞： 硅雙極晶體管 靜電放電 潛在性失效 注入次數(shù) 微波低噪聲小功率 加速壽命實(shí)驗(yàn)【靜電放電次數(shù)與半導(dǎo)體器件潛在性失效的關(guān)系】相關(guān)文章：
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